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BSD3C181V	文件：300 bytes Page：1 Pages	静电抑制二极管	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
BSG0810NDI	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSDSON-8	INFINEON 英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON
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BSG0810NDIATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TISON-8	INFINEON 英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON
BSG0810NDIATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TDSON-8	INFINEON/英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON/英飞凌

技术参数

Vbr.min(V)：
19.8
Cj.max(PF)：
12
Ppp(W)@8/20µS：
220
Ipp(A)@8/20µS：
5.5
Ir.max(µA)：
0.5
ESD Contact(kv)：
30
Package：
SOD323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市讯顺达科技有限公司	BSD3C181V	BORN(伯恩半导体)	24+	SOD323	50000	品牌代理,价格优势,技术支持!!	询价
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更多BSD3C181V供应商更新时间2026-4-12 14:01:00

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