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BSD3C121VB

静电抑制二极管

BORNSEMI

伯恩斯

PT3C121V

Transient Voltage Suppressors for ESD Protection

Description The PT3C121V protects sensitive semiconductor components from damage or upset due to electrostatic discharge (ESD) and other voltage induced transient events. They feature large cross-sectional area junctions for conducting high transient currents, offer desirable electrical chara

文件:387.18 Kbytes 页数:4 Pages

SXSEMI

瞬芯半导体

BSG0810NDI

TSDSON-8

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

BSG0810NDI

TDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

INFINEON/英飞凌

BSG0810NDIATMA1

TISON-8

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

技术参数

  • Vbr.min(V):

    13.3

  • Cj.max(PF):

    70

  • Ppp(W)@8/20µS:

    1100

  • Ipp(A)@8/20µS:

    40

  • Ir.max(µA):

    1

  • ESD Contact(kv):

    30

  • Package:

    SOD323

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更多BSD3C121VB供应商 更新时间2026-3-12 15:25:00