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BSD3C051U2	文件：300 bytes Page：1 Pages	静电抑制二极管	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
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技术参数

Vbr.min(V)：
6
Cj.max(PF)：
0.8
Ppp(W)@8/20µS：
120
Ipp(A)@8/20µS：
7
Ir.max(µA)：
0.5
ESD Contact(kv)：
25
Package：
SOD323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BSD3C051U2供应商更新时间2025-10-13 17:47:00

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