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BSD3C051L	文件：300 bytes Page：1 Pages	TVS&ESD	BGSEMI	BGSEMI
BSD3C051L	文件：300 bytes Page：1 Pages	静电抑制二极管	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
BSD3C051L2	文件：300 bytes Page：1 Pages	ESD静电保护管	AK 安捷利	AK
BSD3C051V	文件：496.96 Kbytes Page：4 Pages	Microprocessor based equipment Features Bidirectional configurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) IEC 61000-4-5 (Lightning) 16A (8/20μs) 350Watts peak pulse power (tp = 8/20μs) 文件：496.96 Kbytes 页数：4 Pages	UMW 友台半导体	UMW

技术参数

Vbr.min(V)：
6
Cj.max(PF)：
1.2
Ppp(W)@8/20µS：
350
Ipp(A)@8/20µS：
17
Ir.max(µA)：
18.3
ESD Contact(kv)：
30
Package：
SOD323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BSD3C051L供应商更新时间2025-10-7 15:16:00

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