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BSD3A031V

丝印:03W;Package:SOD-323;USB Vbus

Features 240Watts peak pulse power (tp = 8/20μs) Unidirectional configurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) IEC 61000-4-5 (Lightning) 16A (8/20μs)

文件:518.159 Kbytes 页数:4 Pages

UMW

友台半导体

BSD3A031V

静电抑制二极管

BORNSEMI

伯恩斯

BSG0810NDI

INFINEON
TSDSON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

BSG0810NDI

INFINEON/英飞凌
TDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

INFINEON/英飞凌

BSG0810NDIATMA1

Infineon
TISON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

技术参数

  • Vbr.min(V):

    4

  • Cj.max(PF):

    200

  • Ppp(W)@8/20µS:

    350

  • Ipp(A)@8/20µS:

    22

  • Ir.max(µA):

    16

  • ESD Contact(kv):

    30

  • Package:

    SOD323

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
BORN(伯恩半导体)
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更多BSD3A031V供应商 更新时间2025-10-6 14:05:00