采用 SOT363 封装的 N 沟道小信号 MOSFET 30 V

所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用（2N7002 除外）。 • 增强模式\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 质量符合 AEC Q101 标准\n /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable{mso-style-name:\"Table Normal\";mso-style-parent:\"\";line-height:115%;font-size:11.0pt;\"Calibri\",\"sans-serif\";mso-fareast-\"Times New Roman\";}\n优势:;

Infineon

英飞凌

OptiMOS?? Small-Signal-Transistor

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INFINEON

英飞凌

3.0 mm X 7.0 mm Series

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PANASONIC

松下

BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

80 W, 3.0 – 200 MHz CONTROLLED “Q” BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON . . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 30– 200 MHz frequency range. • Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc Output Power = 80 Watts Minimum Gain = 1

文件：133.07 Kbytes 页数：6 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

Silicon NPN Transistor High Gain, Low Noise Amp

Features: • High Current Gain–Bandwidth Product • Low Noise Figure • High Power Gain

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NTE