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BSD223P-H6327

INFINEON
SOT363

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

相关企业:天津市博通航睿技术有限公司

BSD223P-H6327

INFINEON/英飞凌
SOT-363

EONEon Silicon Solution Inc.

宜扬科技宜扬科技股份有限公司

相关企业:深圳市鼎欣微电子有限公司

BSD223P-H6327

INFINEON/英飞凌
SOT-363

NF

NF Forward USA Inc

相关企业:深圳市鼎欣微电子有限公司

BSD223P-H6327

INFINEON
SOT363

EONEon Silicon Solution Inc.

宜扬科技宜扬科技股份有限公司

相关企业:天津市博通航睿技术有限公司

BSD223P-H6327

INFINEON
SOT363

NF

NF Forward USA Inc

相关企业:天津市博通航睿技术有限公司

详细参数

  • 型号:

    BSD223P H6327

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    OptiMOS™

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
24+
SOT-363
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
INFINEON
22+
SOT363
8000
终端可免费供样,支持BOM配单
询价
INFINEON
23+
SOT363
8000
只做原装现货
询价
INFINEON
23+
SOT363
7000
询价
INFINEON/英飞凌
24+
SOT-363
60000
全新原装现货
询价
INFINEON/英飞凌
24+
SOT-363
43200
郑重承诺只做原装进口现货
询价
INFINEON/英飞凌
1424+
SOT-363
1095
只做原装正品
询价
Infineon
2020+
原厂封装
350000
100%进口原装正品公司现货库存
询价
英飞凌/INFINEON
22+
SOT363-6L
23667
原装正品现货
询价
INFINEON
23+
SOT363
30000
代理全新原装现货,价格优势
询价
更多BSD223P H6327供应商 更新时间2025-5-4 15:16:00