BSD22中文资料MOSFET N-channel depletion switching transistor数据手册恩XP规格书
技术参数
- 型号：
BSD22
- 功能描述：
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
OptiMOS™
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
新年份 |
SOT-363 |
3250 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
询价 | ||
INFINEO |
23+ |
SOT363 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO23PB |
9000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
1925+ |
SOT-363 |
12500 |
原装现货价格优势可供更多可出样 |
询价 | ||
Infineon |
24+/25+ |
3000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
INFINEON |
1622+ |
SOT363 |
2300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON |
2025+ |
SOT-363 |
7695 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
SOT363-6 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT-143 |
20300 |
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询价 |
