MOSFET N-channel depletion switching transistor

DESCRIPTION Symmetrical insulated-gate silicon MOS field-effect transistor of the n-channel depletion mode type.The transistor is sealed in a SOT143 envelope and features a low ON-resistance and low capacitances.The transistor is protected against excessive input voltages by integrated back-to-ba

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PHI

飞利浦

OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

Feature • Dual P-Channel • Enhancement mode • Super Logic Level (2.5 V rated) • 150°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated

文件：74.63 Kbytes 页数：8 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS-P Small-Signal-Transistor

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Infineon

英飞凌

Enhancement mode

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Infineon

英飞凌

OptiMOS-P Small-Signal-Transistor

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Infineon

英飞凌

Enhancement mode

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Infineon

英飞凌

MOSFET N-channel depletion switching transistor

恩XP

恩智浦

20V-250V P-Channel Power MOSFET

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

Infineon

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