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DESCRIPTION
Symmetrical insulated-gate silicon MOS field-effect transistor of the n-channel depletion mode type.The transistor is sealed in a SOT143 envelope and features a low ON-resistance and low capacitances.The transistor is protected against excessive input voltages by integrated back-to-back diodes between gate and substrate.
Applications:
• analog and/or digital switch
• switch driver
• convertor
• chopper
产品属性
- 型号：
BSD22
- 功能描述：
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
OptiMOS™
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHA |
23+ |
14088 |
询价 | ||||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA |
2860 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
SOT363-6 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
Infineon |
25+ |
SOT363 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-143 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT-143 |
20300 |
NXP/恩智浦原装特价BSD22即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
65200 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
SOT363 |
19600 |
一站式BOM配单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-SOT363-6 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 |
