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BSC750N10ND

OptiMOSTM2 Power-Transistor

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INFINEON

英飞凌

BSC750N10NDG

丝印:750N10ND;Package:TDSON-8;OptiMOSTM2 Power-Transistor

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INFINEON

英飞凌

BSC750N10NDG

丝印:750N10ND;Package:TDSON-8;OptiMOSTM2 Power-Transistor

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INFINEON

英飞凌

BSC750N10ND G

20V-300V N-Channel Power MOSFET

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。 • 优异的开关性能\n• 世界较低的 (R Ds(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 评级 2\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;

Infineon

英飞凌

BSC750N10NDG

OptiMOSTM2 Power-Transistor

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Package :

    SuperSO8 dual

  • VDS max:

    100.0V

  • RDS (on) max:

    75.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    13.0A

  • Ptot max:

    26.0W

  • IDpuls max:

    52.0A

  • VGS(th) min max:

    2.0V 4.0V

  • QG :

    8.0nC 

  • RthJC max:

    4.9K/W

  • Rth :

    4.9K/W 

  • Ciss :

    540.0pF 

  • Coss :

    76.0pF 

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEO
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更多BSC750N10ND供应商 更新时间2026-2-2 8:22:00