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BSC750N10ND G	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-300V N-Channel Power MOSFET 英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。 • 优异的开关性能\n• 世界较低的 (R Ds(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 评级 2\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC750N10NDG	文件：605.12 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM2 Power-Transistor 文件：605.12 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

Package ：
SuperSO8 dual
VDS max：
100.0V
RDS (on) max：
75.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
13.0A
Ptot max：
26.0W
IDpuls max：
52.0A
VGS(th) min max：
2.0V 4.0V
QG ：
8.0nC
RthJC max：
4.9K/W
Rth ：
4.9K/W
Ciss ：
540.0pF
Coss ：
76.0pF

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更多BSC750N10ND G供应商更新时间2025-10-24 16:30:00

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