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BSC097N06NST	文件：1.10366 Mbytes Page：12 Pages	丝印：097N06NT；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V 文件：1.10366 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC097N06NST	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 扩大了温度范围以提高坚固性	Infineon 英飞凌	Infineon
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BSC098N10NS5	文件：0 bytes Page：0 Pages	PG-TDSON-8	Infineon 英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	Infineon
BSC098N10NS5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TDSON-8	INFINEON/英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON/英飞凌

技术参数

OPN：
BSC097N06NSTATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TDSON-8
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
9.7 mΩ
ID @25°C max：
48 A
QG typ @10V：
12 nC
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
175 °C
VGS(th) min：
2.1 V
VGS(th) max：
3.3 V
Technology：
OptiMOS™ 5

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