OptiMOSTM Power-Transistor

文件：489.06 Kbytes 页数：10 Pages

Infineon

英飞凌

丝印：097N06NT；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件：1.10366 Mbytes 页数：12 Pages

Infineon

英飞凌

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如服务器和台式机以及平板电脑充电器中的电源。此外，这些器件是电机控制、太阳能微逆变器和快速开关 直流-直流转换器等广泛工业应用的绝佳选择。 • 针对同步整流进行优化\n• R DS(on) 比其他器件低 40%\n• 与同类器件相比，品质因数提高了 40%\n• 符合 RoHS - 无卤素\n• MSL1 评级\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 降低系统成本\n• 非常低的电压过冲;

Infineon

英飞凌

OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 扩大了温度范围以提高坚固性

Infineon

英飞凌