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BSC079N03LSC G	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS ™ 3 34V 功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封装，具有高功率密度和效率	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC079N03LSCG	文件：390.11 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?? Power-MOSFET 文件：390.11 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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BSC079N03SG	文件：386.33 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor 文件：386.33 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSC079N03LSCGATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TDSON-8
VDS max：
34 V
RDS (on) @10V max：
7.9 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
12.7 mΩ
ID @25°C max：
50 A
QG typ @10V：
14 nC
QG typ @4.5V：
6.8 nC
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2.2 V
Technology：
OptiMOS™ 3

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