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BSC079N03LSC G中文资料OptiMOS ™ 3 34V 功率 MOSFET,采用 SuperSO8 封装,具有高功率密度和效率数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BSC079N03LSC G

功能描述

OptiMOS ™ 3 34V 功率 MOSFET,采用 SuperSO8 封装,具有高功率密度和效率

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:10:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BSC079N03LSC G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :BSC079N03LSCGATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TDSON-8

  • VDS max

    :34 V

  • RDS (on) @10V max

    :7.9 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :12.7 mΩ

  • ID @25°C max

    :50 A

  • QG typ @10V

    :14 nC

  • QG typ @4.5V

    :6.8 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • VGS(th) min

    :1 V

  • VGS(th) max

    :2.2 V

  • Technology

    :OptiMOS™ 3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
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