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BSC070N10NS3

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OptiMOSTM3Power-Transistor

Features •Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications •Optimizedfordc-dcconversion •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Qualifiedac

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

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OptiMOSTM3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

详细参数

型号：
BSC070N10NS3 G
功能描述：
MOSFET N-Channel 100V MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多BSC070N10NS3 G供应商更新时间2024-5-13 16:13:00

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