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BSC072N025S	文件：371.23 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyfornotebookDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1fortargetapplications •Logiclevel/N-channel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BSC072N025S

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OptiMOS짰2Power-Transistor

Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyfornotebookDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1fortargetapplications •Logiclevel/N-channel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance

InfineonInfineon Technologies AG

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OptiMOS짰2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

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OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

详细参数

型号：
BSC072N025S G
功能描述：
MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多BSC072N025S G供应商更新时间2024-5-14 16:30:00

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