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BSC080N03MSG	文件：299.24 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSC080N03MSG	文件：2.51345 Mbytes Page：40 Pages	SynchronousBuckController GENERALDESCRIPTION TheADP1878/ADP1879areversatilecurrent-mode,synchronousstep-downcontrollers.Theyprovidesuperiortransientresponse,optimalstability,andcurrent-limitprotectionbyusingaconstantontime,pseudofixedfrequencywithaprogrammablecurrent-limit,currentcontrols	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
BSC080N03MSG	文件：530.4 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IIPP080N03L	文件：338.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB080N03L	文件：280.26 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB080N03LG	文件：280.26 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;Ro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
BSC080N03MS G
功能描述：
MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多BSC080N03MS G供应商更新时间2025-5-29 16:30:00

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