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BSC060N10NS3	文件：420.02 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor Features •Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications •Optimizedfordc-dcconversion •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Qualifiedac	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BSC060N10NS3

文件：420.02 Kbytes

Page：10 Pages

OptiMOS3 Power-Transistor

Features •Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications •Optimizedfordc-dcconversion •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Qualifiedac

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Infineon

BSC060N10NS3G

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OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

详细参数

型号：
BSC060N10NS
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
MOSFET N-Channel 100V 14.9A TDSON8

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