N 沟道功率 MOSFET

极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制，可改善电磁干扰行为，以及延长电池寿命。可用于半桥配置（功率级 5x6） • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻，小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现，无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

Infineon

英飞凌

丝印：030N03MS；Package：TDSON-8；OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET

Features • Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) • Low FOMSW for High Frequency SMPS • 100 avalanche tested • N-channel • Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Qualified according to JEDEC1) for target applications •

文件：298.91 Kbytes 页数：10 Pages

INFINEON

英飞凌

MOSFET ??Power, Single, N-Channel, Cool, UDFN6, 1.6x1.6x0.55 mm 30 V, 18 m, 6.9 A

文件：205.44 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET ??Power, Single, N-Channel, Cool, UDFN6, 1.6x1.6x0.55 mm 30 V, 18 m, 6.9 A

文件：205.44 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

4V Drive Nch MOSFET

文件：68.55 Kbytes 页数：4 Pages

ROHM

罗姆