选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)TDSON8 |
20018 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
|
深圳市特莱科技有限公司6年
留言
|
INFINEON/英飞凌DFN5*6 |
18665 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
|
12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌TDSON-8 |
19311 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳硅原半导体有限公司8年
留言
|
INFINEON/英飞凌P-TDSON-8 |
13614 |
2022+ |
全新原装 正品现货 诚信经营 终生质保 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
Infineon/英飞凌QFN8 |
69000 |
23+ |
全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)TDSON8 |
24286 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
INFINEONQFN8 |
3000 |
新批次 |
||||
|
深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
|
8000 |
23+ |
原装,正品 |
||||
|
深圳市宇集芯电子有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌TDSON-8-4 |
163000 |
22+ |
一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌QFN8 |
109 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
|
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
|
INFINEONN/A |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
|||
|
深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
|
Infineon/英飞凌PG-TDSON-8 |
28132 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
|||
|
深圳市英科美电子有限公司9年
留言
|
INFINEON/英飞凌DFN-85X6 |
17598 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
|||
|
深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
|
INENOITDSON-8 |
3000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
|||
|
深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
|
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||||
|
深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
|
7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
INFINEON/英飞凌PQFN5X6 |
7906200 |
|||||
|
东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
|
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||||
|
深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
|
INFINEON/英飞凌TDSON8 |
10912 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
BSC022采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BSC022图片
BSC022N04LSATMA1价格
BSC022N04LSATMA1价格:¥5.2319品牌:INF
生产厂家品牌为INF的BSC022N04LSATMA1多少钱,想知道BSC022N04LSATMA1价格是多少?参考价:¥5.2319。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BSC022N04LSATMA1批发价格及采购报价,BSC022N04LSATMA1销售排行榜及行情走势,BSC022N04LSATMA1报价。
BSC022N04LS中文资料Alldatasheet PDF
更多BSC022N03制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS2 Power-Transistor
BSC022N03S功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSC022N03S G功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSC022N03SG功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSC022N03SGAUMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
BSC022N03SGT制造商:Infineon Technologies AG
BSC022N03SGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
BSC022N03ST制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
BSC022N03SZT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
BSC022N04LSATMA1制造商:Infineon Technologies AG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MV POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET MV POWER MOS