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BSC014N06NSSC

OptiMOS ™ 5 60 V 功率 MOSFET 采用 SuperSO8 DSC 封装,具有双面冷却功能,可增强热性能

\n优势:\n• Improved heat dissipation\n• Superior thermal resistance\n• Drop-in replacement in designs using SuperSO8 package\n• Low conduction and switching losses;

Infineon

英飞凌

BSC014N06NSSC

丝印:014N06SC;Package:PG-WSON-8-2;MOSFET OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件:982.36 Kbytes 页数:11 Pages

Infineon

英飞凌

BSC014N06NST

OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件:1.56456 Mbytes 页数:13 Pages

Infineon

英飞凌

IPB014N06N

New OptiMOS??40V and 60V

文件:1.02174 Mbytes 页数:2 Pages

Infineon

英飞凌

IPB014N06N

OptiMOSTM Power-Transistor

文件:649.62 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    BSC014N06NSSCATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-WSON-8

  • VDS max:

    60 V

  • RDS (on) @10V max:

    1.4 mΩ

  • QG typ @10V:

    89 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    175 °C

  • VGS(th) min:

    2.1 V

  • VGS(th) max:

    3.3 V

  • VGS(th):

    2.8 V

  • Technology:

    OptiMOS™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
24+
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英飞凌
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WSON-8
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Infineon
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更多BSC014N06NSSC供应商 更新时间2025-11-30 23:00:00