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BSC005N03LS5_V01	文件：1.48295 Mbytes Page：12 Pages	MOSFET OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 30 V Features • Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V • Optimized charges for fast switching • Optimized QGD/QGS for induced turn on ruggedness • Superior thermal resistance • N-channel • 100% avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249- 文件：1.48295 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多BSC005N03LS5_V01供应商更新时间2025-10-14 11:14:00