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BSB024N03LX G

MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON

Infineon

英飞凌

BSB024N03LXG

OptiMOS2 Power-MOSFET

文件:290.07 Kbytes 页数:11 Pages

Infineon

英飞凌

BSB104N08NP3G

Infineon
TDSON8

Infineon

英飞凌

上传:千层芯半导体(深圳)有限公司

BSC007N04LS6

INFINEON
TDSON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市勤尚伟业电子有限公司

BSC010N04LS

INFINEON
TDSON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市品优时代科技有限公司

技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    27A(Ta),145A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4.5V,10V

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    2.4 毫欧 @ 30A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2.2V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    72nC @ 10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    4900pF @ 15V

  • 功率耗散(最大值):

    2.8W(Ta),78W(Tc)

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 供应商器件封装:

    MG-WDSON-2,CanPAK M™

  • 封装/外壳:

    3-WDSON

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更多BSB024N03LX G供应商 更新时间2025-10-9 15:01:00