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BSB012N03LX3 G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSB012N03LX3G	文件：292.27 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS3Power-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
39A（Ta），180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
1.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
169nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
16900pF @ 15V
功率耗散（最大值）：
2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
MG-WDSON-2，CanPAK M™
封装/外壳：
3-WDSON

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