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CDCDLP223	文件：147.99 Kbytes Page：7 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLPTMSystems	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CDCDLP223	文件：205.19 Kbytes Page：9 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLPSystems	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CDCDLP223	文件：528.45 Kbytes Page：10 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLPSystems	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CDCDLP223	文件：339.21 Kbytes Page：10 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLP™Systems FEATURES ·High-PerformanceClockSynthesizer ·Usesa20MHzCrystalInputtoGenerate MultipleOutputFrequencies ·IntegratedLoadCapacitancefor20MHz OscillatorReducingSystemCost ·AllPLLLoopFilterComponentsare Integrated ·GeneratestheFollowingClocks: –REFCLK20MHz(	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CDCDLP223PW	文件：528.45 Kbytes Page：10 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLPSystems	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CDCDLP223PW	文件：339.21 Kbytes Page：10 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLP™Systems FEATURES ·High-PerformanceClockSynthesizer ·Usesa20MHzCrystalInputtoGenerate MultipleOutputFrequencies ·IntegratedLoadCapacitancefor20MHz OscillatorReducingSystemCost ·AllPLLLoopFilterComponentsare Integrated ·GeneratestheFollowingClocks: –REFCLK20MHz(	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CDCDLP223PW.B	文件：339.21 Kbytes Page：10 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLP™Systems FEATURES ·High-PerformanceClockSynthesizer ·Usesa20MHzCrystalInputtoGenerate MultipleOutputFrequencies ·IntegratedLoadCapacitancefor20MHz OscillatorReducingSystemCost ·AllPLLLoopFilterComponentsare Integrated ·GeneratestheFollowingClocks: –REFCLK20MHz(	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CDCDLP223PWR	文件：205.19 Kbytes Page：9 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLPSystems	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CDCDLP223PWR	文件：528.45 Kbytes Page：10 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLPSystems	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CH223B	文件：130.46 Kbytes Page：3 Pages	Bussmannseries22x58mmModularfuseholders	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON

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详细参数

型号：
BSA223SP
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 390MA SC75
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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