600V耐压 高边/低边栅极驱动器

BS2101F是可驱动使用阴极负载方式的外接Nch-FET及IGBT的600V高耐压高边/低边栅极驱动器。输入逻辑电源电压可使用3.3V及5.0V两种。作为保护功能，在VCC-GND之间及VB-VS中搭载低输入误动作防止电路(UVLO)。 • Floating Channels for Bootstrap Operation to +600V\n• Gate drive supply range from 10V to 18V\n• Built-in Under Voltage Lockout for Both Channels\n• 3.3V and 5.0V Input Logic Compatible\n• Matched Propagation Delay for Both Channels\n• Output in phase with input;

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600V耐压 高边/低边栅极驱动器

BS2103F是可驱动使用阴极负载方式的外接Nch-FET及IGBT的600V高耐压高边/低边栅极驱动器。输入逻辑电源电压可使用3.3V及5.0V两种。作为保护功能，在VCC-GND之间及VB-VS中搭载低输入误动作防止电路 (UVLO)。 • Floating Channels for Bootstrap Operation to +600V \n• Gate drive supply range from 10V to 18V \n• Built-in Under Voltage Lockout for Both Channels \n• 3.3V and 5.0V Input Logic Compatible \n• Matched Propagation Delay for Both Channels \n• Output in phase with input;

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600V 耐压 高边/低边栅极驱动器

BS2114F是可驱动使用自举方式的外接Nch-FET及IGBT的600V高耐压高边/低边栅极驱动器。输入逻辑电源电压可使用3.3V及5.0V两种。作为保护功能，在VCC-GND之间及VB-VS中搭载低电压误动作防止电路(UVLO)。 • Floating Channels for Bootstrap Operation to +600V\n• Gate drive supply range from 10V to 20V\n• Built-in Under Voltage Lockout for Both Channels\n• 3.3V and 5.0V Input Logic Compatible\n• Output in phase with input;

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Package：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP

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Package：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP

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Package：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：600V HIGH VOLTAGE HIGH \u0026 LOW-SID

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