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BS20	文件：107.2 Kbytes Page：2 Pages	Conduit Accessories 文件：107.2 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BS2016A	文件：231.14 Kbytes Page：2 Pages	Typical 2.05 x 1.65 x 0.75 mm ceramic SMD package Features Typical 2.05 x 1.65 x 0.75 mm ceramic SMD package. low Power Supply Voltage: 3.3V, 2.5V，1.8V Conforms to AEC-Q200 Tight symmetry (45 to 55) available Tri-state enable/disable Typical Application ● WLAN/WiMax ● Mobile Phone ● - DSC,Set-top Box,HDTV Typical Application 文件：231.14 Kbytes 页数：2 Pages	XTALTQ 恒晶科技	XTALTQ
BS2016AD3I505CN20	文件：231.14 Kbytes Page：2 Pages	Typical 2.05 x 1.65 x 0.75 mm ceramic SMD package Features Typical 2.05 x 1.65 x 0.75 mm ceramic SMD package. low Power Supply Voltage: 3.3V, 2.5V，1.8V Conforms to AEC-Q200 Tight symmetry (45 to 55) available Tri-state enable/disable Typical Application ● WLAN/WiMax ● Mobile Phone ● - DSC,Set-top Box,HDTV Typical Application 文件：231.14 Kbytes 页数：2 Pages	XTALTQ 恒晶科技	XTALTQ
BS208	文件：238.81 Kbytes Page：5 Pages	DMOS Transistors (P-Channel) FEATURES ♦ High breakdown voltage ♦ High input impedance ♦ Low gate threshold voltage ♦ Low drain-source ON resistance ♦ High-speed switching ♦ No minority carrier storage time ♦ CMOS logic compatible input ♦ No thermal runaway ♦ No secondary breakdown ♦ Specially suited for telephone su 文件：238.81 Kbytes 页数：5 Pages	GE	GE
BS208	文件：64.34 Kbytes Page：12 Pages	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a TO-92 envelope. Intended for use in relay, high-speed and line transformer drivers. FEATURES • Direct interface to C-MOS • High-speed switching • No secondary breakdown. 文件：64.34 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BS208	文件：62.55 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR Features • High Breakdown Voltage • High Input Impedance • Fast Switching Speed • Low Drain-Source On-Resistance • Specially Suited for Telephone Subsets 文件：62.55 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BS209	文件：37.98 Kbytes Page：2 Pages	DMOS Transistors (P-Channel) FEATURES ♦ High input impedance ♦ Low gate threshold voltage ♦ Low drain-source ON resistance ♦ High-speed switching ♦ No minority carrier storage time ♦ CMOS logic compatible input ♦ No thermal runaway ♦ No secondary breakdown 文件：37.98 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
BS2011	文件：70.95 Kbytes Page：2 Pages	GORE-SHIELD짰 GS2100 EMI Gasket is a conductive, adhesive backed, EMI gasketing material that is moderately soft and is approved for spacefl ight and military applications. 文件：70.95 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BS201N	文件：225.44 Kbytes Page：3 Pages	Gas Discharge Tube 文件：225.44 Kbytes 页数：3 Pages	Bencent 槟城电子	Bencent
BS20-720X300	文件：20.2 Kbytes Page：1 Pages	Bare Staple Jumper Wire 文件：20.2 Kbytes 页数：1 Pages	VESTAL	VESTAL

技术参数

VCES(v)：
650
Ic@100℃(A)：
200
Cies(nF)：
19.29
Cres(nF)：
0.85
Qg(nC)：
780
VCE sat typ（V）：
1.45
VGS(th)（V）typ：
5.33
IF(A)：
200
IFRM(A)：
400
ICES(MAX)/mA：
1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BS208	ITT	24+	TO-92	10000		询价
深圳市凌旭科技有限公司	BS200HS	VIKINTEK	2016+	SSOP28	1336	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
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