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BS108	文件：58.88 Kbytes Page：4 Pages	200 VOLTS N-CHANNEL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL LogicLevelTMOS N–ChannelEnhancementMode ThisTMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. •LowDriveRequirement,VGS=3	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BS108	文件：56.77 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speed	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BS108	文件：227.58 Kbytes Page：5 Pages	DMOS Transistors (N-Channel) FEATURES ♦Highbreakdownvoltage ♦Highinputimpedance ♦Lowgatethresholdvoltage ♦Lowdrain-sourceONresistance ♦High-speedswitching ♦Nominoritycarrierstoragetime ♦CMOSlogiccompatibleinput ♦Nothermalrunaway ♦Nosecondarybreakdown ♦Speciallysui	GE GE Industrial Company	GE
BS108	文件：50.31 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N−ChannelTO−92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features •LowDr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS108G	文件：50.31 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N−ChannelTO−92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features •LowDr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS108ZL1	文件：50.31 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N−ChannelTO−92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features •LowDr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS108ZL1G	文件：50.31 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level SmallSignalMOSFET250mAmps,200Volts,LogicLevel N−ChannelTO−92 ThisMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaslinedrivers,relaydrivers,CMOSlogic,microprocessororTTLtohighvoltageinterfaceandhighvoltagedisplaydrivers. Features •LowDr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS108_11	文件：97.18 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS108ZL1G	文件：97.18 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
BS108
功能描述：
MOSFET 200V 250mA Logic
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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