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BS108中文资料小信号 MOSFET,200V,250mA,10 Ω,单 N 沟道,TO-92 逻辑电平数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BS108

功能描述

小信号 MOSFET,200V,250mA,10 Ω,单 N 沟道,TO-92 逻辑电平

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-19 23:01:00

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BS108规格书详情

描述 Description

此 MOSFET 适用于高电压、高速开关应用,如线性驱动器、继电器驱动器、CMOS 逻辑、微处理器或 TTL 到高压接口,以及高压显示器驱动器。

特性 Features

• Low Drive Requirement, VGS = 3.0 V max
• Inherent Current Sharing Capability Permits Easy Paralleling of many Devices
• AEC Qualified
• PPAP Capable
• Pb-Free Packages are Available

技术参数

  • 型号:

    BS108

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 250mA Logic

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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