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IRF841	文件：272.29 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperationarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF841	文件：146.97 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
IRF841	文件：544.88 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORSN-CHANNEL	IRF International Rectifier	IRF
IRF841	文件：334.39 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF841	文件：66.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •RuggedGateOxideTechnology	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF841	文件：271.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ●VGSRatedat±20V ●SiliconGateforFastSwitchingSpe	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF841FI	文件：334.39 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF841FI	文件：65.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •RuggedGateOxideTechnology	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS841	文件：270.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS841	文件：318.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
BS-C841RD
功能描述：
SINGLE DIGIT LED DISPLAYS

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更多BS-C841RD供应商更新时间2025-7-23 17:00:00

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