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FX851	文件：139.13 Kbytes Page：4 Pages	DC-DCConverterApplications Features •CompositetypecomposedofalowON-resistancePchannelMOSFETforultrahigh-speedswitchingandlow-voltagedrivingandafast-recovery,lowforward-voltageSchottkybarrierdiode.Facilitateshigh-densitymounting. •TheFX851isformedwith2chips,onebeingequivalenttothe2SJ1	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FZT851	文件：53.38 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTORS FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)44mΩat5A 6Ampscontinuouscurrent,upto20Ampspeakcurrent Verylowsaturationvoltages ExcellenthFEcharacteristicsspecifiedupto10Amps	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT851	文件：38.71 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighCurrent(HighPerformance)Transistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=6A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=60V ●ComplementarytoFZT951	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT851	文件：64.9 Kbytes Page：3 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT Features •BVCEO>60V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=20APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851	文件：455.05 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851QTA	文件：351.83 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>60V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=20APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851QTA	文件：455.05 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851TA	文件：455.05 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851TA	文件：351.83 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>60V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=20APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
GI851	文件：70.43 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS Forusei	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
BS-A851RD
功能描述：
SINGLE DIGIT LED DISPLAYS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	BS-A854RD	BRIGHT	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市一线半导体有限公司	BS-AA11RD	LEDBRIGHT	24+	DIP	40		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	BS-AA11RD	LEDBRIGHT	23+	DIP	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市创新迹电子有限公司	BS-AA11RD	LEDBRIGHT	23+	原厂正规渠道	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BS-AA11RD	LEDBRIGHT	23+	原厂正规渠道	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	BS-AA1DRDR	BRI	24+		65230		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BS-AA32RD	LEDBRIGHT	23+	DIP	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市富诚威科技有限公司	BSAAA		24+	MSOP8	3200	绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电!	询价
深圳市博浩通科技有限公司	BSAAA	进口原装	23+	MSOP	3500	优势库存	询价
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更多BS-A851RD供应商更新时间2025-7-24 17:41:00

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