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BRB50N06	文件：762.78 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
BRD50N06	文件：1.01448 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
CEB50N06	文件：391.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=17mΩ(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司
CEB50N06	文件：636.35 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,50A,RDS(ON)=22mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
BRC1608T1R0M	文件：0 bytes Page：0 Pages	TAIYO O603	TAIYO 上传：深圳市鹏达隆电子有限公司	TAIYO

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