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BRUS205	文件：64.18 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERYSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
BRUS205F	文件：64.18 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERYSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
BSH205	文件：143.56 Kbytes Page：7 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehaslowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. FEATURES •Verylowthresholdvoltage •Fastswit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSH205	文件：231.88 Kbytes Page：8 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor FEATURES •Verylowthresholdvoltage •Fastswitching •Logiclevelcompatible •Subminiaturesurfacemount package GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode, logiclevel,field-effectpower transistor.Thisdevicehaslow thresholdvoltageandextremely fastswitchingmakingi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSL205N	文件：452.35 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSL205N	文件：320.83 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰2Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSN205	文件：50.43 Kbytes Page：8 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSN205A	文件：50.43 Kbytes Page：8 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSP205	文件：65.6 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaminiatureSOT223envelopeandintendedforuseinrelay,high-speedandline-transformerdrivers. FEATURES •VerylowRDS(on) •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS205N	文件：271.37 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
BRACKET 205
功能描述：
电阻硬件 Push In Bracket 225W INCREMENTS OF 2
RoHS：
否
制造商：
Ohmite

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BRACKET 205供应商更新时间2025-5-28 17:53:00

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