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BR34E02NUX-3	文件：300 bytes Page：1 Pages	DDR2/DDR3 SPD EEPROM 串行EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)是非易失性存储器，在电路板上可以进行电擦写。擦写时也可以以字节(byte)为单位进行擦写，这样适合用来存放数据。ROHM的串行EEPROM是具有高可靠性的高级产品系列。ROHM的串行EEPROM按照世界高水平为用户准备了多种容量、接口和封装形式，在世界上具有高的市场占有率。ROHM的串行EEPROM配置有世界标准的总线形式(Microwire、I²C、SPI)，而且工作电源电压范围宽(1.8 ～ 5.5V、2.5 ～ 5.5V)，还适合采用电池供电。整个系列均是无铅产品，符 •存储器模块用SPD存储器\n•数据可擦写1,000,000次;	ROHM 罗姆	ROHM
BR34E02NUX-3E2	文件：791.97 Kbytes Page：33 Pages	Serial EEPROM Series Standard EEPROM Plug & Play EEPROM General Description BR34E02-3 is 256×8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect) Features 256×8 bit Architecture Serial EEPROM Wide Operating Voltage Range: 1.7V to 5.5V Two-Wire Serial Interface Self-Timed Erase and Write Cycle Page Write Function (16 文件：791.97 Kbytes 页数：33 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR34E02NUX-3TR	文件：791.97 Kbytes Page：33 Pages	Serial EEPROM Series Standard EEPROM Plug & Play EEPROM General Description BR34E02-3 is 256×8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect) Features 256×8 bit Architecture Serial EEPROM Wide Operating Voltage Range: 1.7V to 5.5V Two-Wire Serial Interface Self-Timed Erase and Write Cycle Page Write Function (16 文件：791.97 Kbytes 页数：33 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BR34E02NUX-3TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-UFDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC EEPROM 2K I2C VSON008X2030	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
VSON008X2030
包装数量：
4000
最小独立包装数量：
4000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Series：
Plug and Play
Density [bit]：
2K
Bit Format [Word x Bit]：
256 x 8
Comment：
Cu wire bonding.
Vcc(Min.)[V]：
1.7
Vcc(Max.)[V]：
5.5
Circuit Current (Max.)[mA]：
2
Standby Current (Max.)[μA]：
2
Write Cycle (Max.)[ms]：
5
Input Frequency (Max.)[Hz]：
400k
Endurance (Max.)[Cycle]：
10(6)
Data Retention (Max.)[Year]：
40
I/F：
I2C BUS(2-Wire)
Operating Temperature (Min.)[°C]：
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]：
85
Package Size [mm]：
2x3 (t=0.6)

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