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BR34E02NUX-3TR集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

BR34E02NUX-3TR
厂商型号

BR34E02NUX-3TR

参数属性

BR34E02NUX-3TR 封装/外壳为8-UFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC EEPROM 2K I2C VSON008X2030

功能描述

Serial EEPROM Series Standard EEPROM Plug & Play EEPROM
IC EEPROM 2K I2C VSON008X2030

文件大小

791.97 Kbytes

页面数量

33

生产厂商 Rohm Semiconductor
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-30 18:36:00

BR34E02NUX-3TR规格书详情

General Description

BR34E02-3 is 256×8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect)

Features

256×8 bit Architecture Serial EEPROM

Wide Operating Voltage Range: 1.7V to 5.5V

Two-Wire Serial Interface

Self-Timed Erase and Write Cycle

Page Write Function (16byte)

Write Protect Mode

Settable Reversible Write Protect Function : 00h-7Fh

Write Protect 1 (Onetime Rom) : 00h-7Fh

Write Protect 2 (Hardwire WP PIN) : 00h-FFh

Low Power consumption

Write (at 1.7V) : 0.4mA (typ)

Read (at 1.7V) : 0.1mA (typ)

Standby (at 1.7V) : 0.1µA (typ)

Prevention of Write Mistake

Write Protect Feature (WP pin)

Prevention of Write Mistake at Low Voltage

High Reliability Fine Pattern CMOS Technology

More than 1 million write cycles

More than 40 years data retention

Noise Reduction Filtered Inputs in SCL / SDA

Initial delivery state FFh

BR34E02NUX-3TR属于集成电路(IC) > 存储器。罗姆半导体集团制造生产的BR34E02NUX-3TR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    BR34E02NUX-3TR

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    EEPROM

  • 技术:

    EEPROM

  • 存储容量:

    2Kb(256 x 8)

  • 存储器接口:

    I²C

  • 写周期时间 - 字,页:

    5ms

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-UFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    VSON008X2030

  • 描述:

    IC EEPROM 2K I2C VSON008X2030

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Rohm Semiconductor
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VSON008X2030
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