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BR34E02FVT-3E2集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BR34E02FVT-3E2 |
| 参数属性 | BR34E02FVT-3E2 封装/外壳为8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPB |
| 功能描述 | Serial EEPROM Series Standard EEPROM Plug & Play EEPROM |
| 封装外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 文件大小 |
791.97 Kbytes |
| 页面数量 |
33 页 |
| 生产厂商 | Rohm |
| 企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
| 中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 18:35:00 |
| 人工找货 | BR34E02FVT-3E2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BR34E02FVT-3E2规格书详情
General Description
BR34E02-3 is 256×8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect)
特性 Features
256×8 bit Architecture Serial EEPROM
Wide Operating Voltage Range: 1.7V to 5.5V
Two-Wire Serial Interface
Self-Timed Erase and Write Cycle
Page Write Function (16byte)
Write Protect Mode
Settable Reversible Write Protect Function : 00h-7Fh
Write Protect 1 (Onetime Rom) : 00h-7Fh
Write Protect 2 (Hardwire WP PIN) : 00h-FFh
Low Power consumption
Write (at 1.7V) : 0.4mA (typ)
Read (at 1.7V) : 0.1mA (typ)
Standby (at 1.7V) : 0.1µA (typ)
Prevention of Write Mistake
Write Protect Feature (WP pin)
Prevention of Write Mistake at Low Voltage
High Reliability Fine Pattern CMOS Technology
More than 1 million write cycles
More than 40 years data retention
Noise Reduction Filtered Inputs in SCL / SDA
Initial delivery state FFh
产品属性
- 产品编号：
BR34E02FVT-3E2
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
EEPROM
- 技术：
EEPROM
- 存储容量：
2Kb（256 x 8）
- 存储器接口：
I²C
- 写周期时间 - 字，页：
5ms
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 5.5V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-TSSOP-B
- 描述：
IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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