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BTS110	文件：331.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ110S	文件：122.28 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature •alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ110S	文件：139.69 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS짰PowerTransistor SIPMOSPowerTransistor ProductSummary DrainsourcevoltageVDS55V Drain-Sourceon-stateresistanceRDS(on)0.01Ω ContinuousdraincurrentID80A Features •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated •175˚Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BUZ110SL	文件：121.06 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •Avalanche-rated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature •alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BV-SMAJ110A	文件：159.7 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 槟城电子深圳市槟城电子股份有限公司	Bencent
BV-SMAJ110CA	文件：159.7 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 槟城电子深圳市槟城电子股份有限公司	Bencent
BV-SMBJ110A	文件：164.57 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 槟城电子深圳市槟城电子股份有限公司	Bencent
BV-SMBJ110CA	文件：164.57 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 槟城电子深圳市槟城电子股份有限公司	Bencent
BV-SMCJ110A	文件：185.31 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 槟城电子深圳市槟城电子股份有限公司	Bencent
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