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LX5501B	文件：149.47 Kbytes Page：6 Pages	InGAPHBTGainBlockTM TheLX5501Bisalowcost,broadbandRFICamplifierthathasbeenmanufacturedwithanInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process(MOCVD).Designedasaneasilycascadable50-ohminternallymatchedgainblock,theLX5501BcanbeusedforIFandRFamplificationinwireless/wired	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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