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BNSM110	文件：300 bytes Page：1 Pages	自恢复贴片保险丝	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
BPS110	文件：537.17 Kbytes Page：5 Pages	12 mm Analog Low Pressure Sensor 文件：537.17 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BRUS110	文件：61.25 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FAST RECOVERY 4 to 6 AMPERES SINGLE-PHASE, FULL-WAVE BRIDGES HEAT SINK CHASSIS PC BOARD MOUNTING 文件：61.25 Kbytes 页数：2 Pages	EDI	EDI
BSP110	文件：75.69 Kbytes Page：12 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a miniature SOT223 envelope and designed for use in telephone ringer circuits and for application in relay, high-speed and line transformer drivers. FEATURES • Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High-speed switching • No 文件：75.69 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI

技术参数

IT(A)：
2.2
Vmax(V)：
6
Imax(A)：
100
Trip currt(A)：
8
Trip time(S)：
0.3
Pdtyp(W)：
0.6
Rmin(Ω)：
0.05
Rmax1(Ω)：
0.25
Package：
SMD1206

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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