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3407	文件：114.66 Kbytes Page：5 Pages	-4.1A竊?30VP-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
3407	文件：114.81 Kbytes Page：1 Pages	Heyco®PGandMetricThreadedPlugs	Heyco Heyco	Heyco
3407B	文件：114.81 Kbytes Page：1 Pages	Heyco®PGandMetricThreadedPlugs	Heyco Heyco	Heyco
AM3407	文件：698.83 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. TheAM3407isavailableinSOT-23package. FEATURES VDS=-30V,ID=	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM3407A	文件：563.87 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-30VP-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION VDS=-30V VGS=±20V ID(A)=-4.3A RDS(ON)=38mΩ(Typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=58mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V TheAM3407AisavailableinSOT-23package. FEATURES ⚫AvailableinSOT-23package APPLICATION ⚫PortableEquipment ⚫PowerManagement ⚫LoadSwitch	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM3407PE	文件：525.02 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AN3407	文件：3.28103 Mbytes Page：25 Pages	ResonantdriverforLEDSMPSdemonstrationboard	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AO3407	文件：390.37 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMosfets P-ChannelMOSFET FEATURES •TheAO3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceis suitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
AO3407	文件：968.43 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage Descriptions P-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. Features VDS(V)=-30V ID=-4.1A RDS(ON)	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
AO3407	文件：453.5 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3407	文件：1.89348 Mbytes Page：3 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET ProductSummary VDs=-30V,ID=-4.1A RDS(ON)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
AO3407	文件：1.56996 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-4.1A ●RDS(ON)52m(VGS=-10V) ●RDS(ON)87m(VGS=-4.5V)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3407	文件：705.6 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. Features VDS(V)=-30V ID=-4.1A RDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AO3407	文件：1.04744 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO3407	文件：297.24 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. Features VDS(V)=-30V ID=-4.1A RDS(ON)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3407	文件：1.99218 Mbytes Page：3 Pages	30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET 30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=-30V RDS(ON),Vgs@-10V,Ids@4.1A	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
AO3407A	文件：115.43 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3407A/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.AO3407AandAO3407ALareelectricallyidentical. -RoHSCompliant -AO3407ALisHalogenFree Features	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3407A	文件：489.85 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3407A	文件：2.32286 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-4.3A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3407A	文件：1.77435 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS(V)=-30V ID=-4.2A RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW

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更多BLV3407供应商更新时间2024-5-24 16:28:00

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