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BLP05H9S500P分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

BLP05H9S500P
厂商型号

BLP05H9S500P

参数属性

BLP05H9S500P 封装/外壳为OMP-780-4F-1;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:BLP05H9S500P/OMP780/REELDP

功能描述

Power LDMOS transistor
BLP05H9S500P/OMP780/REELDP

文件大小

1.55347 Mbytes

页面数量

13

生产厂商 Ampleon USA Inc.
企业简称

Ampleon安谱隆

中文名称

安谱隆官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 18:39:00

BLP05H9S500P规格书详情

General description

500 W LDMOS power transistor for various applications such as ISM, RF plasma lighting

and defrosting at frequencies from 423 MHz to 443 MHz.

Features and benefits

 High efficiency

 Easy power control

 Excellent ruggedness

 Integrated ESD protection

 Designed for ISM operation (423 MHz to 443 MHz)

 Excellent thermal stability

 For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

Applications

 RF power amplifiers for CW and pulsed CW applications in the 423 MHz to 443 MHz

frequency range such as ISM, RF plasma lighting and defrosting

BLP05H9S500P属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。安谱隆制造生产的BLP05H9S500P晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BLP05H9S500PY

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双),共源

  • 增益:

    25.2dB

  • 额定电流(安培):

    2.8µA

  • 功率 - 输出:

    500W

  • 封装/外壳:

    OMP-780-4F-1

  • 供应商器件封装:

    OMP-780-4F-1

  • 描述:

    BLP05H9S500P/OMP780/REELDP

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