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BLP05H635XRG分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BLP05H635XRG |
| 参数属性 | BLP05H635XRG 封装/外壳为4-BESOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 文件大小 |
1.38949 Mbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | Ampleon USA Inc. |
| 企业简称 |
Ampleon【安谱隆】 |
| 中文名称 | 安谱隆官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-23 10:12:00 |
BLP05H635XRG规格书详情
General description
A 35 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial
applications in the HF to 600 MHz band.
Features and benefits
Easy power control
Integrated double sided ESD protection
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (HF to 600 MHz)
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
Industrial, scientific and medical applications
Broadcast transmitter applications
BLP05H635XRG属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。安谱隆制造生产的BLP05H635XRG晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
BLP05H635XRGY
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
LDMOS（双），共源
- 频率：
108MHz
- 增益：
27dB
- 功率 - 输出：
35W
- 封装/外壳：
4-BESOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装：
4-HSOP
- 描述：
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AMPHENOL/安费诺 |
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