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BLP042N10G-P.B数据手册Belling中文资料规格书

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厂商型号

BLP042N10G-P.B

功能描述

屏蔽栅金属氧化物半导体场效应管(SGT MOSFETs)

制造商

Belling SHANGHAI BELLING CO., LTD.

中文名称

上海贝岭 上海贝岭股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 23:01:00

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BLP042N10G-P.B规格书详情

描述 Description

BLP042N10G, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for synchronous rectifier and high speed switching applications.

特性 Features

• Fast switching
• Low On-Resistance
• Low gate charge
• Low reverse transfer capacitances
• High avalanche ruggedness
• RoHS product

技术参数

  • 制造商编号

    :BLP042N10G-P.B

  • 生产厂家

    :Belling

  • Mode

    :N-Channel

  • VDS(Max.)

    :100V

  • ID(Max.)

    :158A

  • RDS(on)(Max.)

    :4.2mΩ

  • Qg(Typ)

    :90nC

  • Package

    :TO220 TO263

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