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BLF8G10LS-160分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BLF8G10LS-160 |
| 参数属性 | BLF8G10LS-160 封装/外壳为SOT-502B；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B |
| 功能描述 | RF Manual 16th edition |
| 封装外壳 | SOT-502B |
| 文件大小 |
9.37507 Mbytes |
| 页面数量 |
130 页 |
| 生产厂商 | 恩XP |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-18 9:36:00 |
| 人工找货 | BLF8G10LS-160价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLF8G10LS-160规格书详情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
产品属性
- 产品编号：
BLF8G10LS-160,118
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
920MHz ~ 960MHz
- 增益：
19.7dB
- 功率 - 输出：
35W
- 封装/外壳：
SOT-502B
- 供应商器件封装：
SOT502B
- 描述：
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
SMD |
300 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
PHI |
24+ |
SMD |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
25+ |
SOT-502B |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
恩XP |
2023+ |
SMD |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
PHI |
21+ |
SMD |
10000 |
原装,品质保证,请来电咨询 |
询价 | ||
PHI |
2021+ |
SMD |
7600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-59 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
恩XP |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
SMD |
1680 |
NXP专营品牌进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SMD |
18000 |
原装正品 |
询价 |
