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BLF8G10L-160V中文资料恩XP数据手册PDF规格书

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厂商型号

BLF8G10L-160V

功能描述

RF Manual 16th edition

文件大小

9.37507 Mbytes

页面数量

130

生产厂商

恩XP

数据手册

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更新时间

2025-11-16 20:00:00

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BLF8G10L-160V规格书详情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

产品属性

  • 型号:

    BLF8G10L-160V

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 960MHz 65V 19.7dB

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
24+
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