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BLF888AS分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

BLF888AS

参数属性

BLF888AS 封装/外壳为SOT-539B;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B

功能描述

RF Manual 16th edition

封装外壳

SOT-539B

文件大小

9.37507 Mbytes

页面数量

130

生产厂商

恩XP

数据手册

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更新时间

2025-11-16 20:00:00

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BLF888AS规格书详情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

产品属性

  • 产品编号:

    BLF888AS,112

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双),共源

  • 频率:

    860MHz

  • 增益:

    21dB

  • 功率 - 输出:

    250W

  • 封装/外壳:

    SOT-539B

  • 供应商器件封装:

    SOT539B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B

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