BLF884P分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BLF884P |
| 参数属性 | BLF884P 封装/外壳为SOT-1121B；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B |
| 功能描述 | UHF power LDMOS transistor |
| 封装外壳 | SOT-1121B |
| 文件大小 |
427.7 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | PHI |
| 中文名称 | 飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-16 23:00:00 |
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BLF884P规格书详情
General description
A 350 W LDMOS RF power transistor for broadcast transmitter applications and industrial applications. The excellent ruggedness of this device makes it ideal for digital and analog transmitter applications.
Features and benefits
Excellent ruggedness
Optimum thermal behavior and reliability, Rth(j-c) = 0.22 K/W
High power gain
High efficiency
Designed for broadband operation (470 MHz to 860 MHz)
Internal input matching for high gain and optimum broadband operation
Excellent reliability
Easy power control
Compliant to Restriction ofHazardous Substances (RoHS) Directive 2002/95/EC
Applications
Communication transmitter applications in the UHF band
Industrial applications in the UHF band
产品属性
- 产品编号：
BLF884PS,112
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
LDMOS（双），共源
- 频率：
860MHz
- 增益：
21dB
- 功率 - 输出：
150W
- 封装/外壳：
SOT-1121B
- 供应商器件封装：
LDMOST
- 描述：
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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恩XP |
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封装 |
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恩XP |
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