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BLF6G20LS-75,112	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-502B；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B	Ampleon USA Inc.	Ampleon USA Inc.
BLC6G20LS-75	文件：51.54 Kbytes Page：9 Pages	UHF power LDMOS transistor General description 75 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 1800 MHz to 2000 MHz. Features ■ Typical GSM EDGE performance at frequencies of 1930 MHz and 1990 MHz, a supply voltage of 28 V and an IDq of 550 mA: ◆ Output power = 29.5 W (AV) ◆ Gain 文件：51.54 Kbytes 页数：9 Pages	PHI PHI	PHI
BLF888A	文件：0 bytes Page：0 Pages	高频管	恩XP 上传：深圳市赛芯源科技有限公司	恩XP
BLF8G22LS-140	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD16	AMPLEON 安谱隆上传：深圳市长旗科技有限公司	AMPLEON
BL-HB336G-TRB	文件：0 bytes Page：0 Pages	TRAY	佰鸿上传：深圳特瑞杰电子有限公司	佰鸿

产品属性

产品编号：
BLF6G20LS-75,112
制造商：
Ampleon USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.93GHz ~ 1.99GHz
增益：
19dB
额定电流（安培）：
18A
功率 - 输出：
29.5W
封装/外壳：
SOT-502B
供应商器件封装：
SOT502B
描述：
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B

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更多BLF6G20LS-75,112供应商更新时间2026-10-3 10:09:00

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